2026年存储芯片行业超级周期持续发酵，DRAM大厂南亚科技交出炸裂财报成绩单。其二季度业绩实现跨越式爆发，净利同比暴涨超13倍，毛利率逼近80%，大幅超越晶圆代工龙头台积电同期水平，创下自身历史新高。依托AI算力需求的强力驱动，DRAM行业景气度持续上行，行业传统周期波动特性逐步弱化，叠加厂商大规模扩产布局，全球存储市场正式迈入结构性高增长新阶段。
业绩炸裂：二季度净利暴增1324%，多项指标刷新纪录
财报数据显示，南亚科技2026年第二季营收、利润、毛利率等核心经营指标全线大幅攀升，盈利能力创下历史极值。第二季公司营收达新台币825.49亿元，同比暴涨684%，环比大涨68.2%，营收规模实现跨越式增长。盈利端表现更为亮眼，当期营业毛利润656.19亿元新台币，毛利率高达79.5%，环比提升11.6个百分点，不仅刷新公司自身历史纪录，更远超台积电Q1约66%的毛利率水平，行业盈利优势凸显。
利润层面，南亚科技第二季营业利润为新台币608.26亿元，营业利润率73.7%，环比增长12.4个百分点；税后净利润高达新台币501.92亿元，同比暴增1324%，环比大幅增长92.6%，净利润率达到60.8%，单股收益14.66元新台币。值得一提的是，公司总经理李培瑛在法说会上透露，公司已凭借二季度亮眼业绩上调季度绩效奖金，若剔除该部分支出，公司每股收益表现将更为突出。
纵观2026年上半年整体业绩，南亚科技延续高增长态势，累计营收达新台币1316.36亿元，同比暴涨643%；税后净利润762.5亿元新台币，相较上年同期亏损60.43亿元的窘境实现彻底扭亏为盈，每股收益23.38元新台币，营收、净利润、每股收益均创下历史新高，正式迈入高速盈利周期。
业绩爆发核心：DRAM售价大涨，AI产品占比持续提升
此次业绩大幅增长，核心驱动力来自DRAM合约价的持续上涨。数据显示，南亚科技第二季DRAM销售量与上季度基本持平，但产品平均售价（ASP）环比大涨超60%，量稳价涨的格局直接推动公司营收、毛利率大幅攀升。
产品结构优化进一步夯实盈利基础，目前南亚科技聚焦AI赛道的布局成效显著，上半年应用于AI基础设施及服务器的产品营收占比已突破20%。同时公司维持多元化产品布局，持续供应DDR5、LPDDR5/5X、DDR4等主流存储产品，覆盖消费电子、服务器等多元市场，还积极研发拓展定制化AI/WoW等高附加值产品，持续优化产品结构、提升盈利空间。
行业景气延续：三季度DRAM价格续涨，缺货格局或将持续至2028年
行业机构与产业链大佬一致预判，DRAM涨价行情将持续延续。瑞银最新研报预测，2026年三季度DRAM报价将环比增长32%，四季度再涨18%；存储大厂威刚董事长陈立白也确认，存储器原厂已通知三季度DRAM合约价将上涨20%-30%，行业涨价趋势明确。
针对市场涨价预期，南亚科技总经理李培瑛表示，虽无法精准确认市场预估涨幅，但可以确定第三季DRAM价格高于第二季，后续售价将持续跟随市场供需动态调整。从行业供需格局来看，当前全球DRAM市场呈现全面缺货态势，并非单一产品紧缺，其中云端应用、HBM、高阻值产品需求最为旺盛，供给端完全无法匹配强劲需求。业内预判，此次全球性DRAM供不应求的局面将持续延续至2028年，行业高景气周期具备长期支撑。
格局重构：AI弱化行业周期，长期合约成行业主流
AI技术的快速落地与基础设施建设，正在彻底改写DRAM产业传统的景气循环规律，让行业从周期性波动转向结构性稳定增长。需求端层面，云端数据中心AI服务器、通用服务器需求同步爆发，大幅拉动HBM、服务器用RDIMM产品需求；AI GPU、CPU、ASIC芯片的持续迭代升级，进一步带动HBM、LPDDR5、DDR5高端存储产品需求激增。同时，AI基础设施建设推动eSSD、SmartNIC、BMC等设备升级，倒逼高端、高效能DRAM需求持续扩容。
AI高端存储产品的爆发式需求，对传统DRAM产能形成显著“排挤效应”。大量先进产能被AI定制化产品占用，导致手机、PC、车用、消费电子等传统领域DRAM供给持续收缩，整体市场供应进一步吃紧，推动终端产品价格稳步上行。
供给端方面，上游厂商虽已启动产能扩充，但新增产能均依据客户长期供货合约（LTA）规划，预计2028年才会逐步落地释放，短期供需失衡格局难以逆转。在此背景下，签署长期LTA合约已成为产业链上下游共识。目前南亚科技各类长期供货合约已覆盖公司50%总产能，后续将在短期合约到期后，持续替换为长期合约，进一步稳固供货稳定性，深化核心客户合作绑定。
激进扩产：2027年资本支出翻倍，三年产能扩张近七成
为抢抓AI存储红利、匹配长期市场需求，南亚科技公布大手笔资本开支与扩产计划，产能扩张力度位居行业前列。公司预计2026年全年资本支出超500亿新台币，2027年资本支出将突破2000亿新台币，约为今年支出规模的四倍，该预算待董事会核准后落地。
资本开支将重点投入新厂建设与技术研发两大核心领域。新厂建设方面，核心项目5A晶圆厂将导入1C/1D纳米先进制程，2026年下半年至年底完成无尘室与厂务设施筹备，2027年一季度正式启动装机，2028年第一阶段实现月投片3万片，最终月产能可达4.5万片。该新厂整体建置完成后，总投资规模约4800亿新台币，目前已完成近1000亿新台币投入。
产能释放节奏清晰，随着新产能逐步落地，南亚科技2027年、2028年bit出货量预计同比分别增长8%、53%，2026-2028年整体产能将扩张约69%，扩产幅度领跑全球主流DRAM原厂。技术研发层面，公司1C制程产品已实现量产出货，1D制程进入光罩制作阶段，1E制程与EUV技术研发稳步推进；同时积极布局AI高端封装技术，导入晶圆对晶圆键合、3D IC、TSV等先进工艺，持续强化技术壁垒。
同业共振：全球存储大厂集体扩产，行业格局持续优化
当前全球存储行业已进入集体扩产周期，三星、SK海力士、美光三大国际龙头均加码产能布局。其中三星与SK海力士规划五年内将产能翻倍，年均产能增速约15%，产能稳步释放而非爆发式扩张，有利于行业维持良性供需格局，避免产能过剩风险。
另一家行业巨头美光进一步加大投资力度，将美国本土产能投资从2000亿美元上调至2500亿美元，同时斥资5亿美元投资环球晶圆，强化美国在地供应链布局。面对同业竞争，南亚科技已搭建全球化合作体系，与中国台湾、日本、韩国等地策略伙伴深度绑定，依托长期供货合约保障供应链稳定，在全球存储产业扩张浪潮中稳固自身市场地位。